IGBT融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件,也是变频器的重要元件之一,下面,我们来了解一下变频器IGBT场效应管故障原理。
变频器输出电流检测或电压检测的前级电路,出于抗干扰和电源隔离的双重要求,通常采用线性光耦器件和差分放大器的“配套”电路,来完成信号检测信号的传输任务。其差分放大器的电路形式如图1所示,以电流检测电路为例,当R1=R3,R2=R4,同时差分输入信号为零(停机状态)时,此时输出是“虚地”的,为0V,如果不是0V说明该级电路有了问题,上电后的异常报警,其源头可能在此处了。