IGBT有哪些主要形式和技术参数

IGBT有哪些主要形式和技术参数
IGBT产品有多种形式，主要分为模块型和芯片型两大类。模块化结构有一单元（一个IGBT与一个续流二极管反向并联）、二单元、四单元、六单元及七单元，高压IGBT有模块、平板和片状IGBT元件。

IGBT的主要参数如下：
1、集电极-发射极额定电压Uces。这是生产厂家根据器件的雪崩击穿电压而规定的电压值，是栅极-发射极短路时IGBT能够承受的耐压值。一般Uces小于或等于雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极额定电压Uges。IGBT是电压控制器件，靠加在栅极的电压信号控制它的导通和判断，而Uges就是栅极控制信号的电压额定值。目前，IGBT的Uges值大部分为+20V。
3、额定集电极电流Ic。这个参数表示IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。目前，市场上IGBT模块的电流可达1000A以上。
４、集电极-发射极饱和电压Uce(sat)。这个参数给出IGBT在正常饱和导通时电极-发射极之间的电压降，这个值越小，管子的功率损耗就越小。
5、开关频率。IGBT的一个非常重要的优点就是开关频率高。开关频率是以导通时间Ton、下降时间Tf和关断时间Toff形式给出的，根据这些参数可估算出IGBT的开关频率。最新的IGBT产品有高速开关系列和低导通电压系列。一般IGBT的实际工作频率都在100kHz以下，开关频率高是IGBT模块的一个重要优点。

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